全国咨询热线

18731986452

您现在所在位置:首页 > 产品中心 > 硅料回收 > 正文
重掺杂硅单晶回收
  • 重掺杂硅单晶回收

重掺杂硅单晶回收

同类产品

  • 产品详情

    一、重掺硅料介绍

重掺杂硅单晶.jpg

    重掺杂硅单晶 掺杂浓度高,其电阻率达到2×10-2•Ω.cm的半导体硅材料,属简并半导体。其特点是:

    (1)杂质能级简并化,形成杂质带;

    (2)费米能级接近或进入导带或满带;

    (3)载流子统计分布服从费米一狄拉克统计;

    (4)在室温下杂质能级未全部电离,在极低温度下,它趋向于金属导电的特点。单晶生长采用直拉法。


    生长特点在晶体生长过程中,常常在晶体的尾部出现“溶质析出”。这个现象的实质是发生了组分过冷,平坦生长界面的稳定性遭到破坏,转变成脆状界面。它造成了严重的杂质富集。产生组分过冷的条件中是:,式中G为生长界面处实际温度分布曲线的斜率;v为拉速,cm2/s;m为Si一掺杂元素系相同的液相线的斜率;CL(B)是熔体中掺杂剂的浓度,cm-3;K0为掺杂剂的平衡分凝系数;D为掺杂剂在熔体中的扩散系数;δ为溶质边界层厚度,cm。根据此式可以制订推迟“溶质析出”的拉晶工艺。


    生长界面上出现(111)小平面是造成重掺杂晶体径向电阻率不均匀(即电阻率管道)的重要原因。小平面区和非小平面间的电阻率突变来源于两区的生长机制不同。(111)小平面是原子级光滑面。在它上面生长是二维成核侧向生长机制,侧向生高速率很长,掺杂原子更为有效地被捕获在生长界面上。避免(111)小平面的重要方法是实行凹界面生长。


    制备特点蒸气压较大的掺杂剂砷或磷,必须在硅料熔完后直接投入硅熔体。蒸气压较小的硼或锑亦可与硅多晶料共同熔化。由于砷、磷、锑的蒸发效应都较严重,在计算掺杂量时应考虑到蒸发的因素。拉制过程中,必须保证硅熔体表面以下的石英坩埚内壁不沉淀SiO和含砷、磷、锑的挥发物。


    分类实用的重掺硅单晶的掺杂剂,一般为p型掺硼,n型掺锑或砷。


    (1)p+重掺硼硅单晶。掺杂比为1%~2%的高纯硼掺入硅熔体内,生长出的单晶的电阻率可达10-3~10-4Ω•cm。硼在硅中的固溶度大(1×1021cm-3。),分凝系数K=O.8,所以拉晶工艺与一般掺杂硅单晶相似,难度不大。得到的重掺杂硅单晶,其纵向和径向电阻率都比较均匀。


    (2)n+重掺锑硅单晶。掺杂比约为1%,生长出的单晶电阻率可达1.5×lO-2~7×10-3Ω•cm。锑在硅中的固溶度较小(7×1019cm-3”),分凝系数K=O.023,蒸发速度较快(1.3×10-1cm/s)。制备重掺锑硅单晶的技术难度较大。尤其是易产生位错和因杂质管道效应(小平面效应)造成的径向电阻率均匀性较差。拉制重掺锑硅单晶的技术关键是;配置一套轴向温度梯度大而径向温度梯度小的热场。选用适宜的拉晶参数,加快晶转,降低拉速或递减拉速,籽晶晶向偏离度要小。减压氩气氛或递降压工艺,以获得从凸型一M型一凹型的过渡生长界面状态,避免了生长界面从凸型突然转变为凹型时发生的界面大面积翻转,以及随之而来的质量、动量和热量的不平衡现象,就能确保单晶生长的无位错、无管道化,能大大改善单晶的内在质量和提高9]]zhorlg重成品率。


    (3)n+重掺砷硅单晶。掺杂比为O.6%~O.8%,生长出的单晶电阻率可达3×10-3~7×10-4Ω.cm。砷在615℃时升华,蒸气压较高。因此制备重掺砷硅单晶的技术难度最大。工艺条件与拉制重掺锑单晶的相似。砷在拉晶的高温条件下,性能十分活泼,易与高温下的石墨加热器发生化学反应,破坏热场预定的温度梯度,并使热场条件不稳,破坏了单晶的正常生长。因此必须使用结构非常致密的石墨加热器,既可以减缓石墨加热器的老化过程,又可使热场得以稳定。此外砷和砷的一切化合物均是剧毒物质,拉制重掺砷硅单晶必须采取严格的环境保护措施。操作人员必须戴好压风呼吸器,防止砷中毒。


    应用重掺硅单晶最主要的用途是用作硅外延片的衬底材料,广泛用于超大规模集成电路及彩色电视机电路。它还可制造隧道二极管、稳压管等。


    二、重掺杂硅单晶回收哪家好


    河北省有一家专业回收各种硅片,硅棒,价格更高,可以电话预约的。省去了不少中间环节,而且太阳能电池板回收的价格高.是一家分类及销售为一体的综合型公司,而且长期以优质的合作方式,非常合理的回收价格,对太阳能硅片回收,半导体硅片回收,组件回收,电池片回收,裸片回收已高价格回收,服务也比较好,我还是很认同的。电话:18731986452


   三、重掺杂硅单晶回收价格


    重掺杂硅单晶回收行情每天都在变,想更多了解最新回收价格,请点击查看当日重掺杂硅单晶回收


    四、重掺杂硅单晶回收厂家


    为了节省贵公司的时间与金钱,我们竭诚为各单位提供快速、高效、热情周到的服务。


    我们24小时恭候您的来电!电话:18731986452


    总部地址:河北省金太阳有限公司厂家


咨询留言(*表示必填)

联系人:*
手机:*
邮箱:*
备注:*

硅片回收

河北金太阳公司

联系人:陈先生

联系方式:18731986452

联系QQ:488749869

企业邮箱:488749869@qq.com

地址:全国各地均有分公司,请致电咨询。

© Copyright 2008 - 2018 cs***com All rights reserved 

扫一扫,免费咨询估价

二维码1 二维码1

在线客服

二维码1
咨询热线 400-0000-000